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首页 > 品牌详情 > FET,MOSFET - 单

系列

FET通道极性

技术

漏源电压(Vdss)

连续漏极电流ID(25°C)

驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)

漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs

栅源极阈值电压(Max)@Id

栅极电荷@Vgs

栅源极电压Vgs(Max)

输入电容(Max)@Vds

FET 功能

-

功率耗散(Max)

工作温度范围

安装类型

封装

导通电阻@(Rdson)@10V

-

导通电阻@(Rdson)@4.5V

-

导通电阻@(Rdson)@2.5V

-

导通电阻@(Rdson)@1.8V

-
筛选结果: 4364
综合排序
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
SIR188DP-T1-RE3
SIR188DP-T1-RE3
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SIR188DP-T1-RE3

SIR188DP-T1-RE3

对比

Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

PowerPAK® SO-8

-

PowerPAK® SO-8

-

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SIDR392DP-T1-GE3
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SIDR392DP-T1-GE3

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对比

Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

PowerPAK® SO-8DC

-

PowerPAK® SO-8DC

-

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0 pcs

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-

0 pcs

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SQD40061EL_GE3
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SQD40061EL_GE3

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对比

Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

TO-252-3

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TO-252-3

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0 pcs

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0 pcs

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SQA405EJ-T1_GE3
SQA405EJ-T1_GE3
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SQA405EJ-T1_GE3

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对比

Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

PowerPAK® SC-70-6

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PowerPAK® SC-70-6

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SQS944ENW-T1_GE3
SQS944ENW-T1_GE3
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SQS944ENW-T1_GE3

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对比

Vishay/Siliconix(Vishay/Siliconix)

PowerPAK-1212-8

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PowerPAK-1212-8

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