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W25Q128JV(128M 位)串行闪存专 为空间、引脚或功率有限的系统而设计。25Q 系列在多功能性和性能方面超越了标准串行闪存设备。它们非常适合存储语音、文本和数据,以及将代码影子存储到 RAM 并直接通过双/四 SPI (XIP) 运行代码。该设备采用 2.7V 至 3.6V 的单个电源运行,断电电流使用量低至 1A。所有设备均采用紧凑型封装。W25Q128JV 阵列分为 65,536 个 256 字节可编程页面。一次最多可以编程 256 个字节。页面可以以 16 位扇区(4KB 扇区擦除)、128 位块(32KB 块擦除)、256 位块(64KB 块擦除)或整个芯片(芯片擦除)的形式擦除。 W25Q128JV 总共包含 4,096 个可擦除扇区和 256 个
博通公司是苹果公司和其他大型科技公司的芯片供应商,该公司在发布令人失望的销售预测后股价在尾盘下跌,原因是其业务中与人工智能无关的部分受到影响。 该公司在周四的一份声明中表示,截至 10 月的第四财季销售额将约为 140 亿美元。分析师预计约为 141 亿美元。 该预测表明,博通的非人工智能业务增长速度低于预期。尽管该公司受益于人工智能支出的激增,但其其他部门与这一热潮的联系并不紧密。该公司提供多种产品,包括大型机产品、安全和数据中心软件、手机芯片和数据存储设备。
STM32F103C8T6器件基于 STM32 系列 32 位闪存微控制器 ,采用 ARM® Cortex® M 处理器内核,为 MCU 用户开辟了全新的自由开发空间,并提供各种易于使用的软件和硬件辅助工具。该 MCU 集成了高性能、实时、数字信号处理、低功耗、低电压等特性,同时保持了高集成度和易于开发的特点。业界最强大的产品阵容、基于行业标准的处理器以及大量的软件和硬件开发工具使 STM32 微控制器成为各种中小型项目和完整平台解决方案的理想选择。 增强型STM32F103系列内
SN75176BDR差分总线收发器专门设计用于通过多点总线线路实现双向数据通信传输。它们适用于平衡的传输线。#SN75176BDR# 收发器包括三态差分线路驱动器和具有差分功能的输入线路接收器,两者均采用单个 5 伏电源供电。接收器和驱动器分别配备高电平有效和低电平有效使能器,可外部连接,从而允许它们充当方向控制。驱动器的差分输出和接收器的差分输入在内部链接以形成差分输出和输入总线端口。它们旨在确保即使驱动器关闭或 VCC 为零,总线上的负载也最小。它广泛用于化学和气体传感器、数字标牌、电机控制以及无线中继器。
近日,有网友曝光了东莞优耳电子科技有限公司老板失联,供应商围堵工厂的视频。据悉,优耳电子拖欠数十家供应商货款上千万元,另外还拖欠员工数月工资,拖欠厂房租金数十万元。已经员工甚至开始变卖公司资产以抵扣工资。 本来芯片行情就已经很惨淡了,再遇到像优尔电子这样的工厂跑路,真是雪上加霜。 据相关供应商孙博(化名)透露,优耳电子在经营过程中,长期存在恶意拖欠货款的行为。供应商们按照合同约定交付了货物,但优耳电子却以各种理由拖延支付货款,甚至直接拒绝支付。
9月3日周二,在美股长周末归来的9月份首个交易日,“惨烈”成为对其颇为贴切的形容词,“暴跌”又可以引述全天领跌的英伟达及背后一众芯片股。 具体数据上,费城半导体指数崩跌7.7%,30档
保护电路免受电压尖峰的影响非常重要。 瞬态电压抑制器 (TVS) 在保护敏感元件免受电涌、雷击和其他电气干扰产生的可怕电路尖峰的影响方面发挥着关键作用。 电子设备设计得越来越复杂、越来越小,因此更容易受到瞬态电压的破坏。瞬态电压是瞬间、短周期的电压尖峰,可能显著超过设备的标准工作电压。为了降低这些可能造成损坏的电压,瞬态电压抑制器可用于多种用途,从消费电子产品到大型工业系统。 在本篇内容,道合顺将详细介绍
LL4148是一款小型单开关二极管,其作用类似于整流器,允许电流单向流动。LL4148 采用小型表面贴装封装,广泛用于快速开关应用。与标准硅二极管相比,它可以保证高频应用的更好性能。 特征参数 • 快速开关和恢复速度确保高效率
您是否曾经面对电路板上各式各样的色环电阻感到困惑?这些带有彩色条纹的小元件究竟隐藏了哪些信息?如何才能准确地解读出它们的电阻值和公差呢?作为电子工程中最常见的无源元件之一,色环电阻通过一系列颜色编码来标识其电阻值、公差以及温度系数等参数。如果您想详细了解#如何正确读取色环电阻#,下面道合顺将提供详细的指导,帮助您掌握这一基础技能,从而更好地应对电子设计中的挑战。 1、什么是色环电阻 色环电阻,也称为碳膜电阻,是一种通过在电阻体上涂覆碳膜并覆盖以特定颜色的环来表示电阻值的电子元件。色环电阻通常较小,适合在空间受限的电路中使用。它们的颜色编码系统使得电阻值的
TPS2553DBVR是一款限流配电开关, 它使用 N 沟道 MOSFET 为短路或大电容负载应用提供高达 1.5 A 的连续负载电流。可以使用外部电阻器预设这些器件上的限流阈值,范围在 75 mA 和 1.7 A(最高值)之间。过热保 护和反向电压保护是器件的另外两个关断特性。为了驱动 N 沟道 MOSFET,该器件具有内部电荷泵和栅极驱动电路。电荷泵为驱动器电路供电,并提供将 MOSFET 栅极升高到源极以上所需的电压。电荷泵可以在低至 2.5 V 的输入电压下工作,并且功耗
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