3N163 DIE

品牌： Linear Integrated Systems, Inc.(Linear Integrated Systems, Inc.)

型号： 3N163 DIE

封装： Die

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: Die 栅源极电压Vgs(Max): -6.5V 连续漏极电流ID(25°C): 50mA FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 40 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 20V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 250Ω @ 100µA, 20V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 10µA 栅极电荷@Vgs: 250 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 3.5 pF @ 15 V FET 功能: Schottky Diode (Body) 功率耗散(Max): 300W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: HEXFET®