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原厂交期： 52W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SOT227 栅源极电压Vgs(Max): +25V, -10V FET通道极性: N-Channel 技术: SiCFET (Silicon Carbide) 漏源电压（Vdss）: 1200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 20V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 17mΩ @ 100A, 20V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.3V @ 2mA 栅极电荷@Vgs: 360 nC @ 20 V 输入电容(Max)@Vds: 5960 pF @ 1000 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 600W (Tc) 工作温度范围: -40℃~150℃ 安装类型: Chassis Mount 系列: Polar P3™
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