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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: D3PAK 栅源极电压Vgs(Max): +23V, -10V 连续漏极电流ID(25°C): 64A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: SiCFET (Silicon Carbide) 漏源电压（Vdss）: 1200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 20V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 50mΩ @ 40A, 20V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.6V @ 2mA 栅极电荷@Vgs: 137 nC @ 20 V 输入电容(Max)@Vds: 1990 pF @ 1000 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 303W 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: POWER MOS 7®
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自营  | 电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - | 1+ ￥181.32647 | |
