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B1M018120HC

品牌： BASiC(基本半导体)

型号： B1M018120HC

封装： SOT23

量产： 量产中

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: SOT23 栅源极电压Vgs(Max): ±20.0V FET通道极性: N Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 60V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 20mΩ @ 6A,4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 750.0pF @ 30.0V 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~+150℃

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供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格（含税） 数量&价格(含税) 操作
自营

电话：0755-82781085

邮箱：juwei.hu@infinitech.cn

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品牌：
全部 onsemi(安森美) CREE(科锐)
国别/地区：
全部 美国
综合排序： 价格
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
C3M0021120D
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C3M0021120D

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CREE(科锐)

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onsemi(安森美)

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