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原厂交期： 47W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO247-3 栅源极电压Vgs(Max): +15V, -4V FET通道极性: N-Channel 技术: SiCFET (Silicon Carbide) 漏源电压（Vdss）: 1200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 15V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 28.8mΩ @ 50A, 15V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.6V @ 17.7mA 栅极电荷@Vgs: 160 nC @ 15 V 输入电容(Max)@Vds: 4818 pF @ 1000 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 469W (Tc) 工作温度范围: -40℃~175℃ 安装类型: Through Hole 系列: C3M™
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