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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO247-3 栅源极电压Vgs(Max): +25V, -10V FET通道极性: N-Channel 技术: SiCFET (Silicon Carbide) 漏源电压（Vdss）: 1200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 20V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 196mΩ @ 10A, 20V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 500µA 栅极电荷@Vgs: 32.6 nC @ 20 V 输入电容(Max)@Vds: 527 pF @ 800 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 125W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: Z-FET™
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