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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: TO-247N 栅源极电压Vgs(Max): +22V, -4V 连续漏极电流ID(25°C): 72A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: SiCFET (Silicon Carbide) 漏源电压(Vdss): 1200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 18V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 39mΩ @ 27A, 18V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5.6V @ 13.3mA 栅极电荷@Vgs: 131 nC @ 18 V 输入电容(Max)@Vds: 2222 pF @ 800 V 功率耗散(Max): 339W (Tc) 工作温度范围: 175℃ 安装类型: Through Hole 系列: eGaN®
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
自营 | 电话:0755-82781085 邮箱:juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - | 1+ ¥433.66 | |