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CSD87312Q3E

品牌: TI(德州仪器)

型号: CSD87312Q3E

封装: VSON-8

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: VSON-8 栅源极电压Vgs(Max): 10 连续漏极电流ID(25°C): 27 FET通道极性: 2 N-Channel (Dual) Common Source 漏源电压(Vdss): 30V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 33mΩ @ 7A , 8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 6.3nC@4.5V 输入电容(Max)@Vds: 960pF@15V FET 功能: Logic Level Gate 工作温度范围: -55℃~+150℃ 安装类型: Surface Mount

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