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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: Die 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 120V 连续漏极电流ID(25°C): 3.4A FET 功能: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 60mΩ @ 4A, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 700µA 栅极电荷@Vgs: 0.8nC @ 5V 输入电容(Max)@Vds: 80pF @ 60V 功率(Max): 2W (Ta) 工作温度范围: -40℃~150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Dual) Common Source
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