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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: Die 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 30V 连续漏极电流ID(25°C): 10A (Ta), 40A (Ta) FET 功能: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 8.2mΩ @ 25A, 5V, 2.1mΩ @ 25A, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 4mA, 2.5V @ 16mA 栅极电荷@Vgs: 4.9nC @ 15V, 19nC @ 15V 输入电容(Max)@Vds: 475pF @ 15V, 1960pF @ 15V 功率(Max): 1W (Ta), 59W (Tc) 工作温度范围: -40℃~150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Half Bridge)
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