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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: DFN8(5*6) 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 25V 连续漏极电流ID(25°C): 14A, 16A FET 功能: Logic Level Gate, 4.5V Drive 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 9.2mΩ @ 7A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.4V @ 50µA 栅极电荷@Vgs: 6.2nC @ 4.5V 输入电容(Max)@Vds: 810pF @ 10V 功率(Max): 8W, 10W 工作温度范围: 150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Half Bridge)
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