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原厂交期: 10W
类别: FET,MOSFET - 阵列
描述: 封装: Die 安装类型: Surface Mount 漏源电压(Vdss): 30V 连续漏极电流ID(25°C): 16A (Ta) FET 功能: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 19mΩ @ 15A, 5V, 8mΩ @ 15A, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 5mA 栅极电荷@Vgs: 2.2nC @ 5V, 5.7nC @ 5V 输入电容(Max)@Vds: 230pF @ 15V, 590pF @ 15V 功率(Max): 1.4W 工作温度范围: -40℃~150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Half Bridge)
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
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