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IXFX26N120P

品牌: IXYS(艾赛斯)

型号: IXFX26N120P

封装: PLUS247™-3

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: 43W

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: PLUS247™-3 栅源极电压Vgs(Max): ±30V 连续漏极电流ID(25°C): 26A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 1200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 500mΩ @ 13A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 6.5V @ 1mA 栅极电荷@Vgs: 225 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 16000 pF @ 25 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 960W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: HiPerFET™, Polar

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