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NCE60ND18G

品牌： NCE(新洁能)

型号： NCE60ND18G

封装： DFN5*6-8L

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: DFN5*6-8L 栅源极电压Vgs(Max): 20V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 60V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.1V@250μA 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 110mΩ @ -2.5A,-1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 380mΩ@4.5V,650mA 输入电容(Max)@Vds: 8251pF 功率耗散(Max): 150mW 工作温度范围: -55℃~150℃

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型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
DMN6069SFGQ-7
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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度88%

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Me-tech(美台高科)

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KEXIN(科信)

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Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

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Meled(美莱)

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APEC(富鼎先进)

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KEXIN(科信)

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Leiditech(雷卯)

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Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

对比

YANGJIE(扬杰科技)

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