元器件分类 
易采购
替代Bom
AI大数据平台
供应商入驻
成品拆解
行业快报
在线客服
图片仅供参考，请查阅数据手册
原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: DFN5*6-8L 栅源极电压Vgs(Max): 20V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 60V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.1V@250μA 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 40mΩ @ 3A,4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 380mΩ@4.5V,650mA 输入电容(Max)@Vds: 420pF 功率耗散(Max): 150mW 工作温度范围: -55℃~150℃
更多供应商
替代型号(100个)
详细参数(75%)
| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
河北安智浦电子科技有限公司  | 电话：15933531515 邮箱：- | 1-2周 | 2000 | DC2年内 |
-
| |
