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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: Module 安装类型: Chassis Mount 漏源电压（Vdss）: 1200V (1.2kV) 连续漏极电流ID(25°C): 100A (Tc) FET 功能: Silicon Carbide (SiC) 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 25mΩ @ 100A, 20V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5V @ 10mA 栅极电荷@Vgs: 500nC @ 20V 输入电容(Max)@Vds: 10200pF @ 800V 功率(Max): 1080W 工作温度范围: -40℃~175℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Dual)
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