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原厂交期： 36W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO247-4 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 106A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: SiCFET (Silicon Carbide) 漏源电压（Vdss）: 750 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 12V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 11.5mΩ @ 70A, 12V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 5.5V @ 10mA 栅极电荷@Vgs: 75 nC @ 15 V 输入电容(Max)@Vds: 3340 pF @ 400 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 375W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Through Hole 系列: CoolMOS™
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