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首页 > 品牌详情 > IGBT,MOSFET - 单

系列

IGBT 类型

集射极击穿电压(Max)

集电极电流Ic(Max)

集电极脉冲电流(Icm)

集射极导通电压

功率(Max)

开关能量

输入类型

栅极电荷@Vgs

25°C 时 Td(开/关)值

测试条件

反向恢复时间(trr)

工作温度范围

安装类型

封装

筛选结果: 5
综合排序
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
GT8G133(TE12L,Q)
GT8G133(TE12L,Q)
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GT8G133(TE12L,Q)

GT8G133(TE12L,Q)

对比

KIOXIA(铠侠)

TSSOP8

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TSSOP8

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GT60N321(Q)
GT60N321(Q)
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GT60N321(Q)

GT60N321(Q)

对比

KIOXIA(铠侠)

TO-3P(LH)

-

TO-3P(LH)

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GT50J121(Q)
GT50J121(Q)
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GT50J121(Q)

GT50J121(Q)

对比

KIOXIA(铠侠)

TO-3P(LH)

-

TO-3P(LH)

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GT10J312(Q)
GT10J312(Q)
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GT10J312(Q)

GT10J312(Q)

对比

KIOXIA(铠侠)

TO-220SM

-

TO-220SM

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GT10G131(TE12L,Q)
GT10G131(TE12L,Q)
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GT10G131(TE12L,Q)

GT10G131(TE12L,Q)

对比

KIOXIA(铠侠)

SOP8(5.5*6.0)

-

SOP8(5.5*6.0)

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对比

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