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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: SP1 安装类型: Chassis Mount 漏源电压（Vdss）: 900V FET 功能: Super Junction 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 60mΩ @ 52A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.5V @ 6mA 栅极电荷@Vgs: 540nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 13600pF @ 100V 功率(Max): 462W 工作温度范围: -40℃~150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Half Bridge)
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