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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: Module 安装类型: Chassis Mount 漏源电压（Vdss）: 1200V (1.2kV) FET 功能: Standard 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 20mΩ @ 20A, 20V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.1V @ 50mA 栅极电荷@Vgs: 6nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 9500pF @ 800V 功率(Max): 568W 工作温度范围: -65℃~150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Half Bridge)
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