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STP110N7F6

品牌: ST(意法半导体)

型号: STP110N7F6

封装: TO-220

量产: 停产

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: TO-220 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 110A (Tc) FET通道极性: N-Channel 漏源电压(Vdss): 68 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 6.5mOhm @ 55A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 100 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 5850 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 176W (Tc) 工作温度范围: -55°C ~ 175°C (TJ) 安装类型: Through Hole 系列: STripFET™ F6

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