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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: Die 安装类型: Surface Mount 漏源电压（Vdss）: 60V 连续漏极电流ID(25°C): 23A (Tj) FET 功能: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 4.4mΩ @ 20A, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 7mA 栅极电荷@Vgs: 6.8nC @ 5V 输入电容(Max)@Vds: 830pF @ 30V 功率(Max): 357W 工作温度范围: -40℃~150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Half Bridge)
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详细参数(92%)
| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格（含税） | 合计（含税） | |
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| SP1 | - | SP1 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| Die | - | Die - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥213 | ￥213 | |
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| DFN8(5*6) | - | DFN8(5*6) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥7.59 | ￥7.59 | |
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| SP4 | - | SP4 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| AG-EASY1B | - | AG-EASY1B - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥1621.81 | ￥1,621.81 | |
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| SP6 | - | SP6 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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