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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO-247-4 栅源极电压Vgs(Max): +25V, -15V 连续漏极电流ID(25°C): 29A (Tc) FET通道极性: N-Channel 技术: SiCFET (Silicon Carbide) 漏源电压（Vdss）: 1.2kV 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 20V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 110mΩ @ 20A, 20V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4.3V @ 5mA 栅极电荷@Vgs: 56nC@-5~20V 输入电容(Max)@Vds: 1.112nF@800V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 170W (Tc) 工作温度范围: -55℃~+175℃ 安装类型: Through Hole 系列: *
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